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參數資料
| 型號： | Q67100-Q750 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態隨機存儲器的低功耗100萬× 4位動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 53/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q750 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
52
22. Precharge termination of a Burst
22.1 CAS Latency = 2
Command
Bank A
Activate
T14
BS
Write Data is masked.
of a Write Burst.
Precharge Termination
Addr.
DQ
DQM
AP
Command
Bank A
Activate
Hi Z
Bank A
Write
Command
DAx0
DAx1
RAx
RAx
CAx
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
DAx3
DAx2
Activate
RAy
RP
t
RAy
Ay0
Command
Bank A
Read
Bank A
Precharge
Command
Ay1 Ay2
CAy
RP
t
T3
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
High
CK2
t
T1
T2
T4
T5
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
Precharge Termination
of a Read Burst.
SPT03933
Bank A
Command
Precharge
Command
Bank A
Read
Az0
Az1
RAz
CAz
RAz
Az2
RP
t
Burst Length = 8 or Full Page, CAS Latency = 2
T20
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q751 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q756 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q3016 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3017 | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q751 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q756 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| Q67100-Q757 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| Q67100-Q758 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q759 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 1-Bit Dynamic RAM |
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