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參數(shù)資料
型號(hào): QM200DY24
英文描述: TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
中文描述: 晶體管|晶體管電源模塊|半橋|達(dá)林頓| 1.2KV五(巴西)總裁| 200安培我(丙)
文件頁(yè)數(shù): 1/5頁(yè)
文件大小: 231K
代理商: QM200DY24
相關(guān)PDF資料
PDF描述
QM200DY24B TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200DY2H TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200DY2HB TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200HA24 TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
QM200DY-HB HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
QM200DY-24 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE
QM200DY24B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C)
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