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參數資料
| 型號： | QSD723 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 封裝： | PLASTIC, TO-18, 2 PIN |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 51K |
| 代理商： | QSD723 |
0.190 (4.83)
0.178 (4.52)
0.235 (5.97)
0.218 (5.54)
0.030 (0.76)
COLLECTOR
45°
REFERENCE
SURFACE
0.800 (20.3)
MIN
0.050 (1.27)
0.215 (5.46) NOM
0.020 (0.51)
SQ 2PLCS
45°
0.020 (0.51) RADIUS
EMITTER
0.100 (2.54) NOM
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
NPN Silicon Phototransistor
Package Type: Plastic TO-18
Matched Emitter: QED523
Narrow Reception Angle, 40°
Daylight Filter
Package material and color: black epoxy
High Sensitivity
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
EMITTER
COLLECTOR
SCHEMATIC
QSD722
QSD723
QSD724
DESCRIPTION
The QSD722/723/724 is a silicon phototransistor encapsulated in an infrared transparent, black TO-18 package.
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300363
7/18/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSD724 | PLASTIC SILICON PHOTOTRANSISTOR |
| QSD733 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTODARLINGTON |
| QSD733 | PLASTIC SILICON PHOTODARLINGTON |
| QSE112 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 880NM PEAK WAVELENGTH | LED-7C |
| QSE113 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QSD723_0107 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin TO-18 Bulk |
| QSD724 | 功能描述:光電晶體管 3.5mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD724_Q | 功能描述:光電晶體管 3.5mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD733 | 功能描述:光電晶體管 PHOTO SENS. TO-18 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD733_Q | 功能描述:光電晶體管 PHOTO SENS. TO-18 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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