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參數資料
| 型號： | QSD733 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | PLASTIC SILICON PHOTODARLINGTON |
| 中文描述： | PHOTO DARLINGTON DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | QSD733 |
0.190 (4.83)
0.178 (4.52)
0.235 (5.97)
0.218 (5.54)
0.030 (0.76)
COLLECTOR
45°
REFERENCE
SURFACE
0.800 (20.3)
MIN
0.050 (1.27)
0.215 (5.46) NOM
0.020 (0.51)
SQ 2PLCS
45°
0.020 (0.51) RADIUS
EMITTER
0.100 (2.54) NOM
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTODARLINGTON
PACKAGE DIMENSIONS
FEATURES
NPN Silicon Photodarlington
Package Type: Plastic TO-18
Matched Emitter: QED523
Narrow Reception Angle, 40°
Daylight Filter
Package material and color: black epoxy
High Sensitivity
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions
unless otherwise specified.
3. Orange stripe on the flange.
EMITTER
COLLECTOR
SCHEMATIC
QSD733
DESCRIPTION
The QSD733 is a silicon phototdarlington encapsulated in an infrared transparent, black TO-18 package.
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300364
7/16/01
1 OF 4
www.fairchildsemi.com
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSE112 | PHOTOTRANSISTOR | NPN | 880NM PEAK WAVELENGTH | LED-7C |
| QSE113 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSE114 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSE113 | SIDELOODER PHOTOTRANSISTOR |
| QSE114 | SIDELOODER PHOTOTRANSISTOR |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QSD733_Q | 功能描述:光電晶體管 PHOTO SENS. TO-18 RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD733C | 功能描述:光電晶體管 QSD733 CLEAR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD733C_Q | 功能描述:光電晶體管 QSD733 CLEAR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSD8T120B | 功能描述:PHOTOTRANSISTOR IR 5MM BK LENS 制造商:qt brightek (qtb) 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:15mA 電流 - 暗（Id）（最大值）:100nA 波長:880nm 視角:30° 功率 - 最大值:100mW 安裝類型:通孔 朝向:頂視圖 工作溫度:-40°C ~ 100°C（TA） 封裝/外殼:徑向 標準包裝:500 |
| QSDL1005001 | 制造商:HP 功能描述:* |
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