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參數資料
| 型號： | QSE114 |
| 廠商： | QT OPTOELECTRONICS |
| 元件分類： | 光敏三極管 |
| 英文描述： | SIDELOODER PHOTOTRANSISTOR |
| 中文描述： | PHOTO TRANSISTOR DETECTOR |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 320K |
| 代理商： | QSE114 |
PACKAGE DIMENSIONS
SCHEMATIC
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE113 QSE114
5/1/02
Page 1 of 4
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
DESCRIPTION
The QSE113/114 is a silicon phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent, black plastic sidelooker package.
FEATURES
NPN silicon phototransistor
Package type: Sidelooker
Medium wide reception angle, 50°
Package material and color: black epoxy
Matched emitter: QEE113
Daylight filter
High sensitivity
0.175 (4.44)
0.200 (5.08)
0.050 (1.27)
0.020 (0.51) SQ.
(2X)
0.500 (12.70)
MIN
0.065 (1.65)
0.095 (2.41)
0.100 (2.54)
0.100 (2.54)
NOM
0.030 (0.76)
0.087 (2.22)
EMITTER
COLLECTOR
Collector
Emitter
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions unless
otherwise speci
fi
ed.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSE122 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSE122 | SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE123 | SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | PLASTIC SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | SIDELOOKE PHOTODARLINGTON |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| QSE114_1 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Phototransistor IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk |
| QSE114_Q | 功能描述:光電晶體管 1mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSE114E3R0 | 功能描述:光電晶體管 1mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSE122 | 功能描述:光電晶體管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
| QSE122_Q | 功能描述:光電晶體管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗電流:200 nA 封裝 / 箱體:T-1 |
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