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參數資料
型號: RDD020N60TL
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 1/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
標準包裝: 2,500
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2A
功率 - 最大: 20W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
供應商設備封裝: CPT3
包裝: 帶卷 (TR)
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