| 型號(hào)： | RDD020N60TL |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 4/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 2A CPT3 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 標(biāo)準(zhǔn) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 600V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2A |
| 功率 - 最大： | 20W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | CPT3 |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |