| 型號(hào)： | RFD12N06RLE |
| 廠商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 4/10頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 18A IPAK |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 75 |
| 系列： | UltraFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 18A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 63 毫歐 @ 18A，10V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 485pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 49W |
| 安裝類型： | 通孔 |
| 封裝/外殼： | TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | I-Pak |
| 包裝： | 管件 |