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參數資料
型號: RFD12N06RLE
廠商: Fairchild Semiconductor
文件頁數: 5/10頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
標準包裝: 75
系列: UltraFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 18A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 63 毫歐 @ 18A,10V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 3V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 485pF @ 25V
功率 - 最大: 49W
安裝類型: 通孔
封裝/外殼: TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA
供應商設備封裝: I-Pak
包裝: 管件
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