型號: | RFD15N06LE |
廠商: | INTERSIL CORP |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管) |
中文描述: | 15 A, 60 V, 0.065 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
文件頁數: | 1/8頁 |
文件大小: | 95K |
代理商: | RFD15N06LE |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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RFD15N06LESM | 15A, 60V, 0.065 Ohm, ESD Rated, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.065 Ω,邏輯電平,N溝道功率MOS場效應管) |
RFD15P05SM | 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強型功率MOS場效應管) |
RFD15P05 | 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強型功率MOS場效應管) |
RFD15P06SM | 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應管) |
RFD15P06 | 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場效應管) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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RFD15N06LESM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
RFD15P05 | 功能描述:MOSFET TO-251AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD15P05SM | 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD15P05SM9A | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD15P06 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |