型號(hào): | RFD15P05 |
廠商: | HARRIS SEMICONDUCTOR |
元件分類: | JFETs |
英文描述: | 15A, 50V, 0.150 Ohm,N-Channel PowerMOSFET(15A, 50V, 0.150 Ω,P溝道增強(qiáng)型功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
中文描述: | 15 A, 50 V, 0.15 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251AA |
文件頁數(shù): | 1/8頁 |
文件大?。?/td> | 87K |
代理商: | RFD15P05 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
---|---|
RFD15P06SM | 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
RFD15P06 | 15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs(15A, 60V, 0.150 Ω,P溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
RFD16N02L | 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET(16A, 20V, 0.022 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
RFD16N02LSM | 16A, 20V, 0.022 Ohm, N-Channel, Logic Level, Power MOSFET(16A, 20V, 0.022 Ω, N溝道,邏輯電平,功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
RFD16N03L | 16A, 30V, 0.025 Ohm, Logic Level,N-Channel Power MOSFETs(16A, 30V, 0.025 Ω, N溝道功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
---|---|
RFD15P05SM | 功能描述:MOSFET TO-252AA P-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD15P05SM9A | 功能描述:MOSFET TO-252 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
RFD15P06 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:15A, 60V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
RFD15P06SM | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
RFD-1604-2I | 制造商:RF Industries 功能描述:RF COAXIAL CABLE MOUNT CONNECTOR |