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參數資料
型號: RFP25N06L
英文描述: TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 25A I(D) | TO-220AB
中文描述: 晶體管| MOSFET的| N溝道| 60V的五(巴西)直|第25A條(丁)| TO - 220AB現有
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代理商: RFP25N06L
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PDF描述
RFP2N15L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
RFP2N18L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 180V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
RFD3055RLE TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-251
RFD3055RLESM TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-252
RFL1N08L TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 1A I(D) | TO-39
相關代理商/技術參數
參數描述
RFP2N08 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFP2N08L 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:2A, 80V and 100V, 1.050 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs
RFP2N10 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFP2N1093 制造商:Harris Corporation 功能描述:
RFP2N10L 功能描述:MOSFET TO-220AB N-Ch Power RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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