| 型號： | RJP020N06T100 |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | xT100 Series SOT-89 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 標準 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 2A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 240 毫歐 @ 2A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 10nC @ 4V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 160pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 500mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | TO-243AA |
| 供應商設備封裝： | MPT3 |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1637 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | RJP020N06T100DKR |