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參數資料
型號: RJP020N06T100
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數: 3/3頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89
產品目錄繪圖: xT100 Series SOT-89
標準包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點: 標準
漏極至源極電壓(Vdss): 60V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C: 2A
開態Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 240 毫歐 @ 2A,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 10nC @ 4V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 160pF @ 10V
功率 - 最大: 500mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: TO-243AA
供應商設備封裝: MPT3
包裝: 標準包裝
產品目錄頁面: 1637 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: RJP020N06T100DKR
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