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參數(shù)資料
型號: RMW200N03TB
廠商: Rohm Semiconductor
文件頁數(shù): 6/7頁
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSF N CH 30V 20A PSOP8
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 20A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 4.2 毫歐 @ 20A,10V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 2.5V @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 29nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 1780pF @ 15V
功率 - 最大: 3W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 8-PSOP
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: RMW200N03TBDKR
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