| 型號： | RMW200N03TB |
| 廠商： | Rohm Semiconductor |
| 文件頁數(shù)： | 7/7頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSF N CH 30V 20A PSOP8 |
| 標準包裝： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 20A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4.2 毫歐 @ 20A，10V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 10V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 1780pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 3W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SMD，扁平引線 |
| 供應商設備封裝： | 8-PSOP |
| 包裝： | 標準包裝 |
| 其它名稱： | RMW200N03TBDKR |