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S34ML01G200BHV003

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S34ML01G200BHV003 技術參數

S34ML01G200BHI900 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA（11x9）標準包裝:210 S34ML01G200BHI500 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA（11x9）標準包裝:210 S34ML01G200BHI003 功能描述:閃存 1Gb, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G200BHI000 功能描述:閃存 1Gb, 3V, 25ns NAND 閃存 RoHS:否制造商:ON Semiconductor 數據總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結構:256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel S34ML01G200BHA000 功能描述:IC FLASH 1GBIT 25NS 63BGA 制造商:cypress semiconductor corp 系列:ML-2 包裝:托盤零件狀態:在售存儲器類型:非易失存儲器格式:閃存技術:FLASH - NAND 存儲容量:1Gb （128M x 8）寫周期時間 - 字，頁:25ns 存儲器接口:并聯電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C（TA）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:63-VFBGA 供應商器件封裝:63-BGA（11x9）標準包裝:210 S34ML01G200TFI503 S34ML01G200TFI900 S34ML01G200TFI903 S34ML01G200TFV000 S34ML01G200TFV003 S34ML01G204TFA010 S34ML01G204TFA013 S34ML01G204TFI010 S34ML01G204TFI013 S34ML02G100BHA000 S34ML02G100BHA003 S34ML02G100BHB000 S34ML02G100BHB003 S34ML02G100BHI000 S34ML02G100BHI003 S34ML02G100BHV000 S34ML02G100BHV003 S34ML02G100TFA000