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SIDR638DP-T1-GE3

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SIDR638DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

SIDR638DP-T1-GE3 技術參數

SIDEGIG-GUITAREVM 功能描述:EVALUATION MODULE 制造商:texas instruments 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 SID1183K-TL 功能描述:IGBT FET GATE DVR 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:1 SID1183K 功能描述:DGTL ISOLATION 8A 1700V ESOP 制造商:power integrations 系列:* 零件狀態:在售標準包裝:48 SID1182K-TL 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:1 SID1182K 功能描述:DGTL ISO 5KV GATE DRVR ESOP-R16B 制造商:power integrations 系列:SCALE--iDriver? 包裝:管件零件狀態:在售技術:磁耦合通道數:1 電壓 - 隔離:5000Vrms 共模瞬態抗擾度（最小值）:- 傳播延遲 tpLH / tpHL（最大值）:340ns，330ns 脈寬失真（最大）:- 上升/下降時間（典型值）:90ns，81ns 電流 - 輸出高，低:3.6A，4A 電流 - 峰值輸出:8A 電壓 - 正向（Vf）（典型值）:- 電壓 - 電源:4.75 V ~ 5.25 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 寬），15 引線供應商器件封裝:eSOP-R16B 標準包裝:48 SIE302.5LTR SIE501.2LT SIE501.5LT SIE501.5LTR SIE501.8LT SIE501.8LTR SIE502.1LT SIE502.5LT SIE502.5LTR SIE503.3LTR SIE503.3R SIE726DF-T1-E3 SIE726DF-T1-GE3 SIE800DF-T1-E3 SIE800DF-T1-GE3 SIE802DF-T1-E3 SIE802DF-T1-GE3 SIE804DF-T1-GE3