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SIR844DP-T1-GE3

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • SIR844DP-T1-GE3
    SIR844DP-T1-GE3

    SIR844DP-T1-GE3

  • 深圳市芯脈實業有限公司
    深圳市芯脈實業有限公司

    聯系人:曹先生/高先生/周小姐

    電話:134878658521852080514813760272017

    地址:深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 34347

  • Vishay Siliconix

  • PowerPAK廬 SO-8

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

  • SIR844DP-T1-GE3
    SIR844DP-T1-GE3

    SIR844DP-T1-GE3

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質:營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -
  • 原裝正品進口現貨 電話010-62104...

  • SIR844DP-T1-GE3
    SIR844DP-T1-GE3

    SIR844DP-T1-GE3

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業執照

  • 3755

  • VISHAY SI

  • DIGI-REEL?

  • 1521+

  • -
  • 全新原裝現貨

  • 1/1頁 40條/頁 共13條 
  • 1
SIR844DP-T1-GE3 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V
  • RoHS
  • 制造商
  • STMicroelectronics
  • 晶體管極性
  • N-Channel
  • 汲極/源極擊穿電壓
  • 650 V
  • 閘/源擊穿電壓
  • 25 V
  • 漏極連續電流
  • 130 A
  • 電阻汲極/源極 RDS(導通)
  • 0.014 Ohms
  • 配置
  • Single
  • 最大工作溫度
  • 安裝風格
  • Through Hole
  • 封裝 / 箱體
  • Max247
  • 封裝
  • Tube
SIR844DP-T1-GE3 技術參數
  • SIR67-21C/TR8 功能描述:Infrared (IR) Emitter 875nm 1.3V 65mA 0.5mW/sr @ 20mA 120° 2-SMD, J-Lead 制造商:everlight electronics co ltd 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 類型:紅外線 電流 - DC 正向(If):65mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):0.5mW/sr @ 20mA 波長:875nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:120° 朝向:通用 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:2-SMD,J 形引線 標準包裝:1 SIR-56ST3FF 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.3V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.3V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-568ST3F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 850nm 1.6V 100mA 18mW/sr @ 50mA 26° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):18mW/sr @ 50mA 波長:850nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.6V 視角:26° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-563ST3FM 功能描述:Infrared (IR) Emitter 940nm 1.34V 100mA 9mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):9mW/sr @ 50mA 波長:940nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.34V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:1,000 SIR-505STA47F 功能描述:Infrared (IR) Emitter 950nm 1.38V 100mA 5.6mW/sr @ 50mA 30° T 1 3/4 制造商:rohm semiconductor 系列:- 包裝:散裝 零件狀態:有效 類型:紅外(IR) 電流 - DC 正向(If):100mA 不同 If 時的輻射強度(Ie)(最小值):5.6mW/sr @ 50mA 波長:950nm 電壓 - 正向(Vf)(典型值):1.38V 視角:30° 朝向:頂視圖 工作溫度:-25°C ~ 85°C(TA) 安裝類型:通孔 封裝/外殼:T 1 3/4 標準包裝:2,000 SIR870DP-T1-GE3 SIR871DP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-GE3 SIR872ADP-T1-RE3 SIR872DP-T1-GE3 SIR873DP-T1-GE3 SIR874DP-T1-GE3 SIR876ADP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 SIR878ADP-T1-GE3 SIR878BDP-T1-RE3 SIR878DP-T1-GE3 SIR880ADP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 SIR882ADP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 SIR888DP-T1-GE3 SIR890DP-T1-GE3
配單專家

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