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STB24N60DM2

配單專家企業名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 無錫固電半導體股份有限公司
    無錫固電半導體股份有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：15961889150

    地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號

    資質：營業執照

  • 1000

  • isc/固電半導體

  • D2PAK/TO-263

  • 25+

  • -

  • 國產品牌，替代進口

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市華芯源電子有限公司
    深圳市華芯源電子有限公司

    聯系人：張小姐

    電話：1501927513013823545558

    地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B

    資質：營業執照

  • 6003

  • ST/意法半導體

  • TO-263-3

  • 21+

  • -

  • 原裝正品現貨 可開增值稅發票

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯系人：唐先生

    電話：0755-8322569219129381337（微信同號）

    地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。

  • 8650000

  • ST

  • TO-263

  • 最新批號

  • -

  • 一級代理.原裝特價現貨！

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室

    資質：營業執照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市百潤電子有限公司
    深圳市百潤電子有限公司

    聯系人：梁

    電話：17876146278

    地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A

  • 3000

  • XILINX

  • BGA

  • 23+

  • -

  • 全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市毅創輝電子科技有限公司
    深圳市毅創輝電子科技有限公司

    聯系人：雷春艷

    電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697

    地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質：營業執照

  • 1250

  • STMICROEL

  • CUT TAPE

  • 1521+

  • -

  • 全新原裝現貨

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市芯馳科技有限公司
    深圳市芯馳科技有限公司

    聯系人：丁皓鵬

    電話：1866538497818124166365

    地址：福田街道深南中路3029號南光捷佳大廈2331

    資質：營業執照

  • 100000

  • ST Microelectronics

  • N/A

  • 15+

  • -

  • 原裝正品 價格優勢！

  • STB24N60DM2
    STB24N60DM2

    STB24N60DM2

  • 深圳市鵬威爾科技有限公司
    深圳市鵬威爾科技有限公司

    聯系人：胡慶偉

    電話：13138879988

    地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號 富源商貿中心D棟601

  • 1020

  • STM

  • ORIGONAL

  • 16+

  • -

  • 1.6933 USD,szpoweric...

  • 1/1頁 40條/頁 共27條 
  • 1
STB24N60DM2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • FDmesh? II Plus
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態
  • 有效
  • FET 類型
  • MOSFET N 通道，金屬氧化物
  • FET 功能
  • 標準
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 600V
  • 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
  • 18A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 200 毫歐 @ 9A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 29nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1055pF @ 100V
  • 功率 - 最大值
  • 150W
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
  • 供應商器件封裝
  • D2PAK
  • 標準包裝
  • 1
STB24N60DM2 技術參數
  • STB23NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19.5A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19.5A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:70nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB23NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:19A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 9.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2050pF @ 50V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB23NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1330pF @ 50V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB23N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 16A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? K5 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:280 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB230NH03L 功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 40A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:72nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4700pF @ 10V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STB25NM60N STB25NM60N-1 STB25NM60ND STB26N60M2 STB26NM60N STB26NM60ND STB270N4F3 STB27NM60ND STB28N60DM2 STB28N60M2 STB28N65M2 STB28NM50N STB28NM60ND STB2N62K3 STB300NH02L STB30100CTR STB30100TR STB30150CTR
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