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STFI31N65M5

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價格
說明
操作

STFI31N65M5
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
569888
ST意法
N/A
22+
-
原裝正品現貨，支持BOM配單！

STFI31N65M5
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STFI31N65M5
深圳市百潤電子有限公司
深圳市百潤電子有限公司
聯系人：梁
電話：17876146278
地址：沙頭街道下沙社區濱河路9289號下沙村京基濱河時代廣場D1棟26A
5000
XILINX
BGA
23+
-
全新原裝正品*海量現貨庫存*全網最低

STFI31N65M5
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
I2PAKFP（TO-281）
18+
-
MOSFET N CH 650V 22A...

STFI31N65M5
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
7395
STMICROEL
管件
1521+
-
全新原裝現貨

STFI31N65M5
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
I2PAKFP （281）
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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STFI31N65M5 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STFI31N65M5 PDF下載

功能描述
MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP
RoHS
是
類別
分離式半導體產品 >> FET - 單
系列
Mdmesh™ V
標準包裝
1,000
系列
MESH OVERLAY™
FET 型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點
邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss)
200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C
18A
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
180 毫歐 @ 9A，10V
Id 時的 Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs
72nC @ 10V
輸入電容 (Ciss) @ Vds
1560pF @ 25V
功率 - 最大
40W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-220-3 整包
供應商設備封裝
TO-220FP
包裝
管件

STFI31N65M5 技術參數

STFI28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 22A I2PAK-FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:36nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI26N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:- 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI260N6F6 功能描述:MOSFET N-CH 60V 80A I2PAKFP 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:80A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:3 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:183nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:11400pF @ 25V 功率 - 最大值:41.7W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI24NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FP 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:46nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1400pF @ 50V 功率 - 最大值:30W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-262-3 整包，I2Pak 供應商器件封裝:I2PAKFP（TO-281）標準包裝:50 STFI7N80K5 STFI8N80K5 STFI9N60M2 STFI9N80K5 STFILED524 STFILED625 STFILED627 STFN42 STFPC311 STFPC311BTR STFPC320BTR STFU13N60M2 STFU13N65M2 STFU13N80K5 STFU15N80K5 STFU15NM65N STFU18N60M2 STFU18N65M2

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