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STGB3NB60KD

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價格
說明
操作

STGB3NB60KDT4
無錫固電半導體股份有限公司
無錫固電半導體股份有限公司
聯系人：張小姐
電話：15961889150
地址：江蘇省無錫市新區新梅路68號
資質：營業執照
1000
isc/固電半導體
D2PAK/TO-263
25+
-
國產品牌，替代進口

STGB3NB60KD
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
8650000
ST
TO-263
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STGB3NB60KD
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
23079
ST/意法
D2PAK
22+
-

STGB3NB60KD
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
原廠原裝
15+
-
原裝正品，假一罰十

STGB3NB60KD
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
ST
D PAK
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STGB3NB60KDT4
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
D2PAK
18+
-
IGBT 600V 10A 50W S...

STGB3NB60KDT4
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：何芝
電話：19129491934(手機優先微信同號)0755-82865099
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
3526
ST
D2PAK
14+
-
原裝正品，現貨庫存，400-800-03...

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1

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制造商
STMICROELECTRONICS
制造商全稱
STMicroelectronics
功能描述
N-CHANNEL 3A - 600V - TO-220/DPAK/D2PAK PowerMESH⑩ IGBT

STGB3NB60KD 技術參數

STGB3NB60FDT4 功能描述:IGBT 600V 6A 68W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:6A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):24A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.4V @ 15V，3A 功率 - 最大值:68W 開關能量:125μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:16nC 25°C 時 Td（開/關）值:12.5ns/105ns 測試條件:480V，3A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:45ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB35N35LZT4 功能描述:IGBT 345V 40A 176W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:49nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V，15A，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB35N35LZ-1 功能描述:IGBT 345V 40A 176W I2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:PowerMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 IGBT 類型:- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:345V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:40A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):80A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:1.7V @ 4.5V，15A 功率 - 最大值:176W 開關能量:- 輸入類型:邏輯柵極電荷:49nC 25°C 時 Td（開/關）值:1.1μs/26.5μs 測試條件:300V，15A，5V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA 安裝類型:通孔供應商器件封裝:I2PAK 標準包裝:50 STGB30V60F 功能描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, V S 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:260W 開關能量:383μJ（開），233μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:163nC 25°C 時 Td（開/關）值:45ns/189ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:- 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB30V60DF 功能描述:IGBT 600V 60A 258W D2PAK 制造商:stmicroelectronics 系列:- 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 IGBT 類型:溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）:600V 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:60A 脈沖電流 - 集電極 (Icm):120A 不同?Vge，Ic 時的?Vce（on）:2.3V @ 15V，30A 功率 - 最大值:258W 開關能量:383μJ（開），233μJ（關）輸入類型:標準柵極電荷:163nC 25°C 時 Td（開/關）值:45ns/189ns 測試條件:400V，30A，10 歐姆，15V 反向恢復時間（trr）:53ns 封裝/外殼:TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB 安裝類型:表面貼裝供應商器件封裝:D2PAK 標準包裝:1 STGB6NC60HDT4 STGB6NC60HT4 STGB7H60DF STGB7NB40LZT4 STGB7NB60HDT4 STGB7NB60KDT4 STGB7NC60HDT4 STGB7NC60HT4 STGB8NC60KDT4 STGB8NC60KT4 STGBL6NC60DIT4 STGBL6NC60DT4 STGD10HF60KD STGD10NC60HDT4 STGD10NC60HT4 STGD10NC60KDT4 STGD10NC60KT4 STGD10NC60SDT4

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