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STL-1-250-3-01

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STL-1-250-3-01
    STL-1-250-3-01

    STL-1-250-3-01

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人:駱小姐

    電話:18124020586

    地址:深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world, A棟2203A

  • 7568

  • Essentra Components

  • 25+

  • -
  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • STL-1-250-3-01
    STL-1-250-3-01

    STL-1-250-3-01

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • Essentra Components

  • 標準封裝

  • 16+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品

  • 1/1頁 40條/頁 共2條 
  • 1
STL-1-250-3-01 PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
  • 功能描述
  • TWIST LOK STANDOFF 3/16 X .75"
  • RoHS
  • 類別
  • 線纜,導線 - 管理 >> 線夾和夾具
  • 系列
  • -
  • 標準包裝
  • 100
  • 系列
  • TC
  • 類型
  • C-夾
  • 開口尺寸
  • 0.79" L x 0.54" W x 0.67" H(20.1mm x 13.7mm x 17.0mm)
  • 安裝類型
  • 釘子
  • 材質
  • 聚丙烯
  • 顏色
STL-1-250-3-01 技術參數(shù)
  • STL120N8F7 功能描述:MOSFET N-CH 80V 120A 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):80V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):4.4 毫歐 @ 11.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4570pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL120N4LF6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):80nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4260pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL120N4F6AG 功能描述:MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:汽車級,AEC-Q101,STripFET? F6 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):40V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):55A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3.6 毫歐 @ 13A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):63nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3700pF @ 25V 功率 - 最大值:96W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL120N2VH5 功能描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):120A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):3 毫歐 @ 14A,4.5V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):29nC @ 2.5V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4660pF @ 15V 功率 - 最大值:80W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD,扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?(5x6) 標準包裝:1 STL11N6F7 功能描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):12 毫歐 @ 5.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):17nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1035pF @ 30V 功率 - 最大值:48W 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?(3.3x3.3) 標準包裝:1 STL12P6F6 STL130N6F7 STL130N8F7 STL-1-350-3-01 STL-1-350-8-01 STL135N8F7AG STL13DP10F6 STL13N60DM2 STL13N60M2 STL13N65M2 STL13NM60N STL140N4F7AG STL140N4LLF5 STL140N6F7 STL-1-450-3-01 STL-1-450-8-01 STL150N3LLH5 STL150N3LLH6
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