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STL18N60M2

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL18N60M2
深圳市晶美隆科技有限公司
深圳市晶美隆科技有限公司
聯系人：李林
電話：0755-8251939113714584659李先生（可開13%增票，3
地址：深圳市福田區華強北電子科技大夏A座36樓C09
資質：營業執照
13740
ST
QFN
23+
-
全新原裝正品現貨特價

STL18N60M2
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN5X6
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL18N60M2
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STL18N60M2
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET N-CH 600V 9A ...

STL18N60M2
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
14990
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

1/1頁 40條/頁共17條
1

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STL18N60M2 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 600V 9A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
MDmesh? II Plus
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
600V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
9A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
308 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
21.5nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
791pF @ 100V
功率 - 最大值
57W
工作溫度
150°C（TJ）
安裝類型
*
封裝/外殼
4-PowerFlat? HV
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標準包裝
1

STL18N60M2 技術參數

STL18N55M5 功能描述:MOSFET N-CH 550V 2.4A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:550V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.4A（Ta），13A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:270 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1352pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL17N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 1.8A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:1.8A（Ta），10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:374 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:22nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:816pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL17N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 17A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.5 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:17nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1690pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（3.3x3.3）標準包裝:1 STL16N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V HV POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1250pF @ 100V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL16N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 7.5A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:7.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:395 毫歐 @ 3.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:19.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:718pF @ 100V 功率 - 最大值:56W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL20DNF06LAG STL20N6F7 STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01