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STL33N65M2

配單專家企業(yè)名單
  • 型號
  • 供應商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝
  • 批號
  • 價格
  • 說明
  • 操作
  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市英科美電子有限公司
    深圳市英科美電子有限公司

    聯(lián)系人：張先生

    電話：0755-23903058

    地址：深圳市福田區(qū)振興路西101號華勻大廈1棟7F

  • 16800

  • ST/意法

  • DFN

  • 22+

  • -

  • 每一片都來自原廠，正品保證

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 深圳市芯脈實業(yè)有限公司
    深圳市芯脈實業(yè)有限公司

    聯(lián)系人：周小姐/高先生/曹先生

    電話：137602720171852080514813487865852

    地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室

  • 34078

  • STMicroelectronics

  • PowerFLAT-8x8-HV-5

  • 25+

  • -

  • 全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發(fā)貨

  • STL33N65M2
    STL33N65M2

    STL33N65M2

  • 北京耐芯威科技有限公司
    北京耐芯威科技有限公司

    聯(lián)系人：劉先生

    電話：010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址：北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室

    資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照

  • 0

  • 原廠封裝

  • 10000

  • 16+/17+

  • -

  • 百分百原裝正品假一賠十 電話010-62...

  • 1/1頁 40條/頁 共7條 
  • 1
STL33N65M2 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準
  • 功能描述
  • N-CHANNEL 650 V, 0.124 OHM TYP.,
  • 制造商
  • stmicroelectronics
  • 系列
  • MDmesh??
  • 包裝
  • 剪切帶（CT）
  • 零件狀態(tài)
  • 在售
  • FET 類型
  • N 溝道
  • 技術(shù)
  • MOSFET (Metal Oxide)
  • 漏源極電壓（Vdss）
  • 650V
  • 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）
  • 20A（Tc）
  • 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
  • 154 毫歐 @ 10A，10V
  • 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
  • 4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
  • 41.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
  • 1790pF @ 100V
  • FET 功能
  • -
  • 功率耗散（最大值）
  • *
  • 工作溫度
  • -55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型
  • 表面貼裝
  • 封裝/外殼
  • 8-PowerVDFN
  • 供應商器件封裝
  • PowerFlat?（8x8） HV
  • 標準包裝
  • 1
STL33N65M2 技術(shù)參數(shù)
  • STL33N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:22A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:135 毫歐 @ 10.75A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:47nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1700pF @ 100V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL33N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.115 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 FET 類型:N 溝道 技術(shù):MOSFET (Metal Oxide) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:140 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1870pF @ 100V FET 功能:- 功率耗散（最大值）:* 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL31N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 15A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:2.8A（Ta），15A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:162 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:45nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1865pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL30P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:30 毫歐 @ 4.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最?。?不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:12nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1450pF @ 25V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標準包裝:1 STL30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc） 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6） 標準包裝:1 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5 STL3NK40 STL3NM60N STL3P6F6 STL40C30H3LL STL40DN3LLH5 STL40N10F7 STL40N75LF3 STL42N65M5 STL42P4LLF6 STL42P6LLF6
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