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STL30P3LLH6

配單專家企業名單

型號
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封裝
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價格
說明
操作

STL30P3LLH6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6001
ST/意法半導體
PowerFLAT-5x6-8
22+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STL30P3LLH6
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN56
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL30P3LLH6
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
ST
最新批號
-
一級代理.原裝特價現貨！

STL30P3LLH6
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STL30P3LLH6
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（5x6）
18+
-
MOSFET P-CH 30V 30A ...

STL30P3LLH6
深圳市毅創輝電子科技有限公司
深圳市毅創輝電子科技有限公司
聯系人：雷春艷
電話：19129493934（手機優先微信同號）0755-83266697
地址：深圳市福田區華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室
資質：營業執照
15000
STMICROEL
1521+
-
全新原裝現貨

STL30P3LLH6
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：苗鳳軍
電話：17623594308
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
4964
ST
QFN
2210+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

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STL30P3LLH6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

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功能描述
MOSFET P-CH 30V 30A POWERFLAT
制造商
stmicroelectronics
系列
DeepGATE?，STripFET? VI
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
30V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
30A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
30 毫歐 @ 4.5A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
1V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
12nC @ 4.5V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1450pF @ 25V
功率 - 最大值
75W
工作溫度
175°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerSMD，扁平引線
供應商器件封裝
PowerFlat?（5x6）
標準包裝
1

STL30P3LLH6 技術參數

STL30N10F7 功能描述:MOSFET N-CH 100V 8A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:35 毫歐 @ 4A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:14nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:920pF @ 50V 功率 - 最大值:75W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL2N80K5 功能描述:MOSFET N-CH 800V 2A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:800V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:4.9 歐姆 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:3nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:95pF @ 100V 功率 - 最大值:33W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL26NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 19A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:停產 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.7A（Ta），19A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:185 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:3W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL260N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 260A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:260A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:1.3 毫歐 @ 22.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:61.5nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6375pF @ 25V 功率 - 最大值:166W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerSMD，扁平引線供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL25N60M2-EP 功能描述:MOSFET N-CH 600V 16A MLPD8X8 4L 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:16A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:205 毫歐 @ 8A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1090pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL-3-450-8-01 STL34N65M5 STL-350-3-01 STL-350-8-01 STL35N15F3 STL35N6F3 STL-3-600-3-01 STL-3-600-8-01 STL36DN6F7 STL36N55M5 STL-3-750-3-01 STL-3-750-8-01 STL38N65M5 STL3N10F7 STL3N65M2 STL3N80K5 STL3NK40 STL3NM60N