您現在的位置：買賣IC網 > S字母型號搜索 > S字母第6082頁 >

STL20N6F7

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STL20N6F7
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
6001
ST/意法半導體
3.3x3.3-HV-8
21+
-
原裝正品現貨可開增值稅發票

STL20N6F7
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：王
電話：18724450645
地址：中國上海
5000
LEIDITECH(雷卯)
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STL20N6F7
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：張
電話：18724450645
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓5層505室
資質：營業執照
1
LEIDITECH(雷卯)
con
24+
-
場效應管

STL20N6F7
深圳市英科美電子有限公司
深圳市英科美電子有限公司
聯系人：張先生
電話：0755-23903058
地址：深圳市福田區振興路西101號華勻大廈1棟7F
16800
ST/意法
DFN33
22+
-
每一片都來自原廠，正品保證

STL20N6F7
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：深圳市福田區深南中路3031號漢國中心3204室
資質：營業執照
5000
LEIDITECH(雷卯)
con
24+
-
優勢庫存，原裝正品

STL20N6F7
深圳市德力誠信科技有限公司
深圳市德力誠信科技有限公司
聯系人：王小姐
電話：13969210552
地址：上海市靜安區恒豐路568號恒匯國際大廈903室
357191
STMICROELECTRONICS
con
24+
-
現貨常備京北通宇商城可查價格

STL20N6F7
天陽誠業科貿有限公司
天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
357191
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STL20N6F7
北京天陽誠業科貿有限公司
北京天陽誠業科貿有限公司
聯系人：洪先生
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈503
資質：營業執照
1
LEIDITECH(雷卯)
con
24+
-
場效應管

STL20N6F7
北京京北通宇電子元件有限公司
北京京北通宇電子元件有限公司
聯系人：洪寶宇
電話：17862669251
地址：北京市海淀區安寧莊西路9號院29號樓金泰富地大廈505（京北通宇）
資質：營業執照
357191
STMICROELECTRONICS
con
24+
-

STL20N6F7
深圳市華芯盛世科技有限公司
深圳市華芯盛世科技有限公司
聯系人：唐先生
電話：0755-8322569219129381337（微信同號）
地址：廣東省深圳市福田區上步工業區201棟316室。
865000
STM
原廠封裝
最新批號
-
代理此型號.原裝特價現貨！

STL20N6F7
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
百分百原裝正品假一賠十電話010-62...

STL20N6F7
深圳市眾芯微電子有限公司
深圳市眾芯微電子有限公司
聯系人：陳小姐
電話：0755-8320801015711992892
地址：都會軒3607
資質：營業執照
86900
STMicroelectronics
PowerFlat?（3.3x3.3）
18+
-
MOSFET N-CH 60V 100A

STL20N6F7
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
深圳市華雄半導體（集團）有限公司
聯系人：雷精云
電話：18988598856
地址：深圳龍崗區棕科云端大廈1棟B座15層
資質：營業執照
3008
ST
DFN33
2223+
-
十年專營，供應原裝正品！熱賣現貨！

STL20N6F7
東莞鼎岑科技有限公司
東莞鼎岑科技有限公司
聯系人：莫
電話：18925581989
地址：廣東省東莞市塘廈鎮林村大道445號北鉅業大夏319室
0
ST
-
2134-H20210920W

STL20N6F7
深圳市鵬威爾科技有限公司
深圳市鵬威爾科技有限公司
聯系人：胡慶偉
電話：13138879988
地址：深圳市寶安區新安街道翻身路117號富源商貿中心D棟601
35
STM
ORIGONAL
16+
-
0.44132 USD,szpoweri...

1/1頁 40條/頁共12條
1

您是不是要找： STL20NF06LAG STL20NM20N STL210N4F7AG STL21N65M5 STL220N3LLH7 STL220N6F7 STL225N6F7AG STL22N65M5 STL23NM50N

STL20N6F7 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STL20N6F7 PDF下載

功能描述
MOSFET N-CH 60V 100A
制造商
stmicroelectronics
系列
STripFET? F7
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
有效
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標準
漏源極電壓（Vdss）
60V
電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）
100A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）
5.4 毫歐 @ 10A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）
25nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）
1600pF @ 25V
功率 - 最大值
78W
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-PowerVDFN
供應商器件封裝
PowerFlat?（3.3x3.3）
標準包裝
1

STL20N6F7 技術參數

STL20DN10F7 功能描述:MOSFET 2N-CH 100V 20A PWRFLAT56 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VII 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:20A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:67 毫歐 @ 2.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:7.8nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:408pF @ 50V 功率 - 最大值:62.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（5x6）標準包裝:1 STL19N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 12.5A PWRFLAT88 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.3A（Ta），12.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:240 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:31nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1240pF @ 100V 功率 - 最大值:2.8W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL19N60DM2 功能描述:N-CHANNEL 600 V, 0.28 OHM TYP., 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:11A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:320 毫歐 @ 5.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:21nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:- 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-PowerVDFN 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL190N4F7AG 功能描述:POWER TRANSISTORS 制造商:stmicroelectronics 系列:* 零件狀態:新產品標準包裝:1 STL18NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 6A POWERFLAT 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.1A（Ta），12A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:310 毫歐 @ 6A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 50V 功率 - 最大值:110W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:4-PowerFlat? HV 供應商器件封裝:PowerFlat?（8x8） HV 標準包裝:1 STL23NM60ND STL23NS3LLH7 STL24N60DM2 STL24N60M2 STL24N65M2 STL24NM60N STL-250-3-01 STL-250-8-01 STL25N15F3 STL25N15F4 STL25N60M2-EP STL260N3LLH6 STL26NM60N STL285N4F7AG STL28N60DM2 STL2N80K5 STL30N10F7 STL30P3LLH6