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STP180N4F6

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP180N4F6
廣東濟德精密電子有限公司
廣東濟德精密電子有限公司
聯系人：吳
電話：18724450645
地址：東莞市大朗鎮松木山村德利路1號2棟2樓
100
STMICROELECTRONICS
NA
23+
-
現貨！就到京北通宇商城

STP180N4F6
深圳市華芯源電子有限公司
深圳市華芯源電子有限公司
聯系人：張小姐
電話：1501927513013823545558
地址：深圳市福田區華強路華強廣場D座16層18B
資質：營業執照
2252
ST/意法
NA
23+
-
18萬條庫存，一站式配齊

STP180N4F6
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
58293
STMicroelectronics
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STP180N4F6
深圳市百域芯科技有限公司
深圳市百域芯科技有限公司
聯系人：許先生
電話：18898761413
地址：華強北都會軒4507
資質：營業執照
5000
ST/意法
NA
24+
-
優勢供應品質保障可開13點發票

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STP180N4F6 PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STP180N4F6 技術參數

STP180N10F3 功能描述:MOSFET N-CH 100V 120A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:100V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:120A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:5.1 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:114.6nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:6665pF @ 25V 功率 - 最大值:315W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220 標準包裝:50 STP17NK40ZFP 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220FP 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:35W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 整包供應商器件封裝:TO-220FP 標準包裝:50 STP17NK40Z 功能描述:MOSFET N-CH 400V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:400V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP17NF25 功能描述:MOSFET N-CH 250V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:250V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:165 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:29.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1000pF @ 25V 功率 - 最大值:90W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP17N62K3 功能描述:MOSFET N-CH 620V 15A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH3?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:620V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:15.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:380 毫歐 @ 7.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:94nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2500pF @ 50V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP18NM60N STP18NM60ND STP18NM80 STP190N55LF3 STP19NB20 STP19NF20 STP19NM50N STP19NM65N STP1N105K3 STP200N3LL STP200N4F3 STP200N6F3 STP200NF03 STP200NF04 STP200NF04L STP20N20 STP20N60M2-EP STP20N65M5