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STP2202ABGA

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型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STP2202ABGA
北京元坤偉業科技有限公司
北京元坤偉業科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1008室
資質：營業執照
5000
SUN
BGA
05+
-
假一罰十，百分百原裝正品

STP2202ABGA
深圳市特瑞斯科技有限公司
深圳市特瑞斯科技有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-8277481983249326
地址：銷售一部：華強北上步工業區501棟401室銷售二部：深圳市福田區紅荔路上航大廈411室
資質：營業執照
18530
BGA
20+
-
公司常備大量原裝現貨，價優！

STP2202ABGA
深圳市時興宇電子有限公司
深圳市時興宇電子有限公司
聯系人：彭先生
電話：0755-830415598397218513430523058
地址：深圳市福田區華強北都會大廈A座19樓19G
9866
BGA
97+
-
絕對公司原裝現貨

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您是不是要找： STP220N6F7 STP22NF03L STP22NM60N STP22NS25Z STP23N80K5 STP23NM50N STP23NM60N STP23NM60ND STP240N10F7

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制造商
未知廠家
制造商全稱
未知廠家
功能描述
System Controller

STP2202ABGA 技術參數

STP21NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:60nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1800pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP21NM60N 功能描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh?? 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:220 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:66nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1900pF @ 50V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP21NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:65nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1950pF @ 25V 功率 - 最大值:140W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP21N90K5 功能描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:SuperMESH5?? 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:900V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:18.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:299 毫歐 @ 9A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:43nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1645pF @ 100V 功率 - 最大值:250W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220-3 標準包裝:50 STP21N65M5 功能描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? V 包裝:管件零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:17A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:190 毫歐 @ 8.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1950pF @ 100V 功率 - 最大值:125W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應商器件封裝:TO-220AB 標準包裝:50 STP24DP05BTR STP24N60DM2 STP24N60M2 STP24N65M2 STP24NF10 STP24NM60N STP24NM65N STP25N10F7 STP25N60M2-EP STP25N80K5 STP25NM50N STP25NM60N STP25NM60ND STP260N4F7 STP260N6F6 STP265N6F6AG STP26N60M2 STP26NM60N