欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

您好，歡迎來到買賣IC網(wǎng) 登錄 | 免費(fèi)注冊

管理采購發(fā)布采購信息

您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > S字母型號搜索 > S字母第6113頁 >

STP28X25MGR

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

1/1頁 40條/頁共40條
1

您是不是要找： STP28X25MIG STP28X25MOR STP28X25MRD STP28X25MVL STP28X25MYL STP28X2MBL STP28X2MBL-Q STP28X2MBU STP28X2MBU-Q

STP28X25MGR PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實(shí)際PDF為準(zhǔn)

STP28X25MGR 技術(shù)參數(shù)

STP28NM60ND 功能描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:FDmesh?? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:23A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 11.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:62.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2090pF @ 100V 功率 - 最大值:190W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28NM50N 功能描述:MOSFET N-CH 500V 21A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:500V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:158 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:50nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1735pF @ 25V 功率 - 最大值:150W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N65M2 功能描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? M2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:650V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:20A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:180 毫歐 @ 10A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:35nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1440pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N60M2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? II Plus 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:24A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:150 毫歐 @ 12A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:37nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1370pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28N60DM2 功能描述:MOSFET N-CH 600V 21A 制造商:stmicroelectronics 系列:MDmesh? DM2 包裝:管件零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:600V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:21A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:160 毫歐 @ 10.5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:1500pF @ 100V 功率 - 最大值:170W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:通孔封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 STP28X2MGR STP28X2MGR-Q STP28X2MIG STP28X2MIG-Q STP28X2MOR STP28X2MOR-Q STP28X2MRD STP28X2MRD-Q STP28X2MVL STP28X2MVL-Q STP28X2MYL STP28X2MYL-Q STP28X3.5MBL STP28X3.5MBL-Q STP28X3.5MBU STP28X3.5MBU-Q STP28X3.5MGR STP28X3.5MGR-Q