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STS-31-DIS

配單專家企業名單

型號
供應商
數量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STS-31-DIS
深圳市芯脈實業有限公司
深圳市芯脈實業有限公司
聯系人：周小姐/高先生/曹先生
電話：137602720171852080514813487865852
地址：深圳市龍崗區坂田街道南坑社區雅寶路1號星河WORLDA2203A室
75097
Sensirion
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽保障、閃電發貨

STS-31-DIS
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區中關村大街32號和盛嘉業大廈10層1009室
資質：營業執照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進口現貨電話010-62104...

STS-31-DIS
深圳市歐和寧電子有限公司
深圳市歐和寧電子有限公司
聯系人：李先生
電話：0755-292759351581559886118576729816
地址：廣東省深圳市福田區華強北賽格科技園6C18室
39800
Sensirion
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STS-31-DIS PDF下載 圖文及資料僅供參考，以實際PDF為準

STS-31-DIS PDF下載

功能描述
Temperature Sensor Digital, Local -40°C ~ 125°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5)
制造商
sensirion ag
系列
STS3
包裝
剪切帶（CT）
零件狀態
在售
傳感器類型
數字，本地
檢測溫度 - 本地
-40°C ~ 125°C
檢測溫度 - 遠程
-
輸出類型
I2C
電壓 - 電源
2.4 V ~ 5.5 V
分辨率
16 b
特性
-
精度 - 最高（最低）
±0.3°C
測試條件
25°C
工作溫度
-40°C ~ 125°C
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
8-TDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
8-TDFN（2.5x2.5）
標準包裝
1

STS-31-DIS 技術參數

STS30N3LLH6 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:DeepGATE?，STripFET? VI 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標準漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:30A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:2.4 毫歐 @ 15A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:40nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:4040pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS-30-DIS 功能描述:Temperature Sensor Digital, Local 0°C ~ 65°C 16 b 8-TDFN (2.5x2.5) 制造商:sensirion ag 系列:STS3 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:在售傳感器類型:數字，本地檢測溫度 - 本地:0°C ~ 65°C 檢測溫度 - 遠程:- 輸出類型:I2C 電壓 - 電源:2.4 V ~ 5.5 V 分辨率:16 b 特性:- 精度 - 最高（最低）:±0.3°C 測試條件:25°C 工作溫度:-40°C ~ 125°C 安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-TDFN 裸露焊盤供應商器件封裝:8-TDFN（2.5x2.5）標準包裝:1 STS2DPFS20V 功能描述:MOSFET P-CH 20V 2.5A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:二極管（隔離式）漏源極電壓（Vdss）:20V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2.5A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:200 毫歐 @ 1A，4.5V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:600mV @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.7nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:315pF @ 15V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS2DPF80 功能描述:MOSFET 2P-CH 80V 2A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:過期 FET 類型:2 個 P 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:80V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:2A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:250 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:20nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:739pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS2DNF30L 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 3A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶（CT）零件狀態:有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續漏極（Id）（25°C 時）:3A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:110 毫歐 @ 1A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.5nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:121pF @ 25V 功率 - 最大值:2W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應商器件封裝:8-SO 標準包裝:1 STS4DNFS30L STS4DPF20L STS4DPF30L STS4DPFS30L STS4NF100 STS5DNF20V STS5DNF60L STS5DP3LLH6 STS5DPF20L STS5N15F3 STS5N15F4 STS5NF60L STS5P3LLH6 STS5PF20V STS5PF30L STS6NF20V STS6P3LLH6 STS6PF30L