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STS110003CHIP

配單專家企業(yè)名單

型號
供應(yīng)商
數(shù)量
廠商
封裝
批號
價格
說明
操作

STS110003CHIP
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：駱小姐
電話：18124020586
地址：深圳市龍崗區(qū)雅寶路1號星河world， A棟2203A
97965
Cantherm
Axial
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

STS110003CHIP
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
深圳市芯脈實(shí)業(yè)有限公司
聯(lián)系人：曹先生/高先生/周小姐
電話：134878658521852080514813760272017
地址：深圳市龍崗區(qū)坂田街道南坑社區(qū)雅寶路1號星河WORLDA2203A室
14462
Cantherm
Axial
25+
-
全球渠道、原廠正品、信譽(yù)保障、閃電發(fā)貨

STS110003CHIP
北京耐芯威科技有限公司
北京耐芯威科技有限公司
聯(lián)系人：劉先生
電話：010-6210493162104891621045786210643162104791
地址：北京市海淀區(qū)中關(guān)村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1009室
資質(zhì)：營業(yè)執(zhí)照
0
原廠封裝
10000
16+/17+
-
原裝正品進(jìn)口現(xiàn)貨電話010-62104...

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您是不是要找： STS110003L360500G918 STS110003L360500U129 STS11N3LLH5 STS11NF30L STS121PC STS121RA STS12N3LLH5 STS12NF30L STS12NH3LL

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STS110003CHIP PDF下載

功能描述
PTC Thermistor 1k Ohm Axial
制造商
cantherm
系列
STS1
包裝
*
零件狀態(tài)
在售
25°C 時歐姆阻值
1k
電阻容差
±3%
工作溫度
-40°C ~ 170°C
功率 - 最大值
10mW
安裝類型
通孔
封裝/外殼
軸向
供應(yīng)商器件封裝
*
標(biāo)準(zhǔn)包裝
500

STS110003CHIP 技術(shù)參數(shù)

STS10PF30L 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:14 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:39nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:2300pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS10P4LLF6 功能描述:MOSFET P-CH 40V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:40V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:15 毫歐 @ 3A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:34nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3525pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS10P3LLH6 功能描述:MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? H6 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET P 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Ta）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:12 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA（最小）不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:33nC @ 4.5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:3350pF @ 25V 功率 - 最大值:2.7W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS10N3LH5 功能描述:MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A（Tc）不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS10DN3LH5 功能描述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? V 包裝:剪切帶（CT）零件狀態(tài):有效 FET 類型:2 個 N 溝道（雙） FET 功能:邏輯電平門漏源極電壓（Vdss）:30V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）:10A 不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）:21 毫歐 @ 5A，10V 不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）:1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）:4.6nC @ 5V 不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）:475pF @ 25V 功率 - 最大值:2.5W 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ）安裝類型:表面貼裝封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）供應(yīng)商器件封裝:8-SO 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 STS1300PC STS1300RA STS131PC STS131RA STS13N3LLH5 STS1400PC STS141RA STS14N3LLH5 STS15N4LLF3 STS15N4LLF5 STS17NF3LL STS17NH3LL STS19N3LLH6 STS1DN45K3 STS1DNC45 STS1DNF20 STS1HNK60 STS1NK60Z