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STV2216-2B

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  • 說明
  • 操作
  • STV2216-2B
    STV2216-2B

    STV2216-2B

  • 深圳市華芯盛世科技有限公司
    深圳市華芯盛世科技有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:0755-8322569219129381337(微信同號)

    地址:廣東省深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)201棟316室。

  • 865000

  • ST

  • DIP-42P

  • 最新批號

  • -
  • 一級代理,原裝特價現(xiàn)貨!

  • STV2216-2B
    STV2216-2B

    STV2216-2B

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • 09/10+

  • -
  • 假一罰十,百分百原裝正品,質量保障

  • STV2216-2B
    STV2216-2B

    STV2216-2B

  • 北京元坤偉業(yè)科技有限公司
    北京元坤偉業(yè)科技有限公司

    聯(lián)系人:劉先生

    電話:010-6210493162104891621045786210643162104791

    地址:北京市海淀區(qū)中關村大街32號和盛嘉業(yè)大廈10層1008室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 5000

  • ST

  • 原廠封裝

  • 15+

  • -
  • 原裝正品,假一罰十

  • STV2216-2B
    STV2216-2B

    STV2216-2B

  • 深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司
    深圳市毅創(chuàng)輝電子科技有限公司

    聯(lián)系人:雷春艷

    電話:19129493934(手機優(yōu)先微信同號)0755-83266697

    地址:深圳市福田區(qū)華強北街道華強北路1016號寶華大廈A座2028室

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 2585

  • ST

  • DIP-42P

  • 99+

  • -
  • 全新原裝現(xiàn)貨

  • STV2216-2B
    STV2216-2B

    STV2216-2B

  • 深圳市硅宇電子有限公司
    深圳市硅宇電子有限公司

    聯(lián)系人:唐先生

    電話:134242936540755-83690762

    地址:深圳市福田區(qū)福虹路世界貿(mào)易廣場A座1503

    資質:營業(yè)執(zhí)照

  • 517

  • ST

  • DIP-42P

  • 99+

  • -
  • 原裝現(xiàn)貨/特價

  • 1/1頁 40條/頁 共31條 
  • 1
STV2216-2B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STV2216-2B 技術參數(shù)
  • STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV0976 功能描述:IC COPROCESSOR DGTL SMIA 56TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 專用 IC 系列:* 產(chǎn)品培訓模塊:Lead (SnPb) Finish for COTS Obsolescence Mitigation Program 標準包裝:1 系列:- 類型:調幀器 應用:數(shù)據(jù)傳輸 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:400-BBGA 供應商設備封裝:400-PBGA(27x27) 包裝:散裝 STV6412ADT STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02
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