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STV242B

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  • STV242B
    STV242B

    STV242B

  • 深圳市奧偉斯科技有限公司
    深圳市奧偉斯科技有限公司

    聯系人:江小姐 ADS觸摸芯片一級代理

    電話:0755-83254770

    地址:深南中路3006號佳和華強大廈A座7樓整層

    資質:營業執照

  • 6

  • ST

  • DIP42

  • 18+

  • -
  • 原裝正品,優勢現貨

  • STV242B
    STV242B

    STV242B

  • 深圳市柏新電子科技有限公司
    深圳市柏新電子科技有限公司

    聯系人:林小姐//方先生

    電話:0755-88377780010-58488628

    地址:深圳市福田區深南中路2070號電子科技大廈C座27E2 , 北京辦事處:北京海春路中發大廈60淀區知

  • 312

  • ST

  • DIP42

  • 2012+

  • -
  • 只做原裝正品。

  • 1/1頁 40條/頁 共6條 
  • 1
STV242B PDF下載 圖文及資料僅供參考,以實際PDF為準
STV242B 技術參數
  • STV240N75F3 功能描述:MOSFET N-CH 75V 240A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? III 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:有效 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):75V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):240A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 120A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV2050A 功能描述:視頻 IC Digital Conv Procssr RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 工作電源電壓:5 V 電源電流:80 mA 最大工作溫度:+ 85 C 封裝 / 箱體:TSSOP-28 封裝:Reel STV200N55F3 功能描述:MOSFET N-CH 55V 200A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:帶卷(TR) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):55V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):200A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 75A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):100nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):6800pF @ 25V 功率 - 最大值:300W 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:600 STV160NF03LT4 功能描述:MOSFET N-CH 30V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.8 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):140nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4700pF @ 25V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV160NF02LT4 功能描述:MOSFET N-CH 20V 160A POWERSO-10 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET?? II 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態:過期 FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能:標準 漏源極電壓(Vdss):20V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時):160A(Tc) 不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):2.5 毫歐 @ 80A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):160nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):4800pF @ 15V 功率 - 最大值:210W 工作溫度:175°C(TJ) 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerSO-10 裸露底部焊盤 供應商器件封裝:10-PowerSO 標準包裝:1 STV6413DT STV-6501C-D01 STV6618D STV-674/100T-E01 STV-674/501C-R01 STV-674/502V-R01 STV-676/501C-R01 STV-676/502S-R01 STV-676-E01 STV-684-E02 STV8131 STV8163 STV8164 STV8206 STV8216 STV-974/552S-R01 STV-974/552S-R02 STV-H11-F/CO-G
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