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參數資料
型號： S29CL032J1JFAI110
廠商： SPANSION LLC
元件分類： PROM
英文描述： 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 54 ns, PBGA80
封裝： 13 X 11 MM, 1 MM PITCH, FORTIFIED, BGA-80
文件頁數： 52/78頁
文件大小： 1825K
代理商： S29CL032J1JFAI110
54
S29CD-J & S29CL-J Flash Family
S29CD-J_CL-J_00_B1 September27,2006
Prel imi n ary
16 Test Conditions
Note: Diodes are IN3064 or equivalent
Figure 16.1 Test Setup
17 Test Specifications
Table 17.2. Key to Switching Waveforms
17.1
Switching Waveforms
Figure 17.1 Input Waveforms and Measurement Levels
Table 17.1 Test Specifications
Test Condition
54D, 64C
65A, 75E
Unit
Output Load
1 TTL gate
Output Load Capacitance, CL (including jig capacitance)
30
100
pF
Input Rise and Fall Times
5ns
Input Pulse Levels
0.0 V – VIO
V
Input timing measurement reference levels
VIO/2
V
Output timing measurement reference levels
VIO/2
V
Waveform
Inputs
Outputs
Steady
Changing from H to L
Changing from L to H
Don’t Care, Any Change Permitted
Changing, State Unknown
Does Not Apply
Center Line is High Impedance State (High Z)
CL
Device
Under
Test
VIO
VSS
VIO/2 V
Output
Measurement Level
Input
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PDF描述
S29CL032J1MFAN120 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 54 ns, PBGA80
S29CL032J0PQAN102 1M X 32 FLASH 3.3V PROM, 54 ns, PQFP80
S29GL016A10FAI020 1M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64
S29GL032A10TAIR10 64 MEGABIT 32MEGABIT 3.0 BOLT ONLY PAGE MODE FLASH MEMORY
S29GL032A10TAIR12 64 MEGABIT 32MEGABIT 3.0 BOLT ONLY PAGE MODE FLASH MEMORY
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參數描述
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S29GL016A100BAI010 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL016A100BAI012 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL016A100BAI013 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
S29GL016A100BAIR10 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:64 Megabit, 32 Megabit, and 16 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 200 nm MirrorBit Process Technology
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