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參數資料
| 型號： | S29GL032M10FAIR22 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | MirrorBit Flash Family |
| 中文描述： | 2M X 16 FLASH 3V PROM, 100 ns, PBGA64 |
| 封裝： | 13 X 11 MM, FORTIFIED, BGA-64 |
| 文件頁數： | 105/116頁 |
| 文件大小： | 6024K |
| 代理商： | S29GL032M10FAIR22 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁當前第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁
February 7, 2007 S29GL-M_00_B8
S29GL-M MirrorBitTM Flash Family
87
Data
Sheet
AC Characteristics
Erase and Program Operations—S29GL064M Only
Notes:
1. Not 100% tested.
2. See Erase and Programming Performance for more information
3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
4. If a program suspend command is issued within tPOLL, the device requires tPOLL before reading
status data, once programming resumes (that is, the program resume command has been
written). If the suspend command was issued after tPOLL, status data is available immediately
after programming resumes. See Figure 16.
Parameter
Description
Speed Options
Unit
JEDEC
Std.
90
10
11
tAVAV
tWC
Write Cycle Time (Note 1)
Min
90
100
110
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tASO
Address Setup Time to OE# low during toggle bit polling
Min
15
ns
tWLAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tAHT
Address Hold Time From CE# or OE# high during toggle bit polling
Min
0
ns
tDVWH
tDS
Data Setup Time
Min
35
ns
tWHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tCEPH
CE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
tOEPH
OE# High during toggle bit polling
Min
20
ns
tGHWL
tGHWL Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tELWL
tCS
CE# Setup Time
Min
0
ns
tWHEH
tCH
CE# Hold Time
Min
0
ns
tWLWH
tWP
Write Pulse Width
Min
35
ns
tWHDL
tWPH
Write Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1 tWHWH1
Write Buffer Program Operation (Notes 2, 3)
Typ
240
s
Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
60
Accelerated Single Word Program Operation (Note 2)
Typ
54
tWHWH2 tWHWH2 Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.5
sec
tVHH
VHH Rise and Fall Time (Note 1)
Min
250
ns
tVCS
VCC Setup Time (Note 1)
Min
50
s
tBUSY
WE# High to RY/BY# Low
Max 90
100
110
ns
tPOLL
Program Valid before Status Polling
Max
4
s
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| S29GL032M10FAIR23 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FAIR30 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FAIR32 | Tantalum Capacitor; Capacitance:220uF; Capacitance Tolerance:+/- 20 %; Working Voltage, DC:10V; Package/Case:7343-31; Terminal Type:PCB SMT; ESR:0.001ohm; Packaging:Cut Tape; Series:T530 |
| S29GL032M10FAIR33 | MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FAIR40 | MirrorBit Flash Family |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| S29GL032M10FAIR23 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL032M10FAIR30 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FAIR32 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:MirrorBit Flash Family |
| S29GL032M10FAIR33 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
| S29GL032M10FAIR40 | 制造商:SPANSION 制造商全稱:SPANSION 功能描述:3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um MirrorBit process technology |
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