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參數資料
| 型號： | SBG3045CT |
| 廠商： | LITE-ON SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 30 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 1/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 68K |
| 代理商： | SBG3045CT |
SBG3030CT thru 3045CT
FEATURES
Metal of silicon rectifier,majority carrier conducton
Guard ring for transient protection
Low power loss, high efficiency
High current capability, low VF
High surge capacity
Plastic package has UL flammability classification 94V-0
For use in low voltage,high frequency inverters,free
whelling,and polarity protection applications
MECHANICAL DATA
Case : D PAK molded plastic
Polarity : As marked on the body
Weight : 0.06 ounces, 1.7 grams
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
℃
Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%
2
VRMS
VDC
VRRM
I(AV)
IFSM
VF
Maximum Average Forward
Rectified Current
@TC
=100 C
Peak Forward Surge Current
8.3ms single half sine-wave
superimposed on rated load (JEDEC METHOD)
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
Maximum RMS Voltage
Maximum DC Blocking Voltage
Maximum Forward Voltage
at 15A DC (Note 1)
30
250
0.55
TJ
Operating Temperature Range
-55 to +125
C
TSTG
Storage Temperature Range
-55 to +150
C
Typical Thermal Resistance (Note 3)
R0JC
1.5
C/W
CJ
Typical Junction Capacitance
per element (Note 2)
420
pF
IR
@TJ =100 C
Maximum DC Reverse Current
at Rated DC Blocking Voltage
@TJ =25 C
1.0
75
mA
V
A
V
UNIT
V
SBG3030CT
30
21
30
CHARACTERISTICS
SYMBOL
SBG3040CT
40
28
40
D PAK
2
All Dimensions in millimeter
DIM.
MIN.
MAX.
A
C
D
E
F
G
H
B
9.65
10.69
15.88
14.60
8.25
9.25
1.67
-----
0.51
1.14
2.29
2.79
2.29
2.79
1.14
2.92
K
J
I
1.40
2.03
0.64
0.30
4.37
4.83
D
PAK
2
K
J
I
H
F
D
C
A
G
E
B
PIN 1
PIN 2
K
HEATSINK
1
2
K
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS
REVERSE VOLTAGE - 30 to 45 Volts
FORWARD CURRENT - 30 Amperes
NOTES : 1. 300us Pulse Width, 2% Duty Cycle.
2. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC.
3.Thermal Resistance Junction to Case.
SEMICONDUCTOR
LITE-ON
REV. 5, Sep-2009, KTHB10
SBG3045CT
45
31.5
45
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBG3050CT | 30 A, 50 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBG3060CT | 30 A, 60 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBH1020TL | 10 A, 20 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBH2045TL | 20 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| SBL1040 | 10 A, 40 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SBG3045CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 45V 30A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG3045CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 45V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| SBG3050CT | 制造商:DIODES 制造商全稱:Diodes Incorporated 功能描述:30A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER |
| SBG3050CT-T | 功能描述:DIODE SCHOTTKY CC 50V 30A D2-PAK RoHS:否 類別:分離式半導體產品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2 |
| SBG3050CT-T-F | 功能描述:肖特基二極管與整流器 30A 50V RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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