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參數資料
| 型號： | SBYV27-200/23 |
| 廠商： | VISHAY SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 整流器 |
| 英文描述： | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| 封裝： | PLASTIC, DO-15, 2 PIN |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 330K |
| 代理商： | SBYV27-200/23 |
www.vishay.com
2
Document Number 88736
19-Oct-05
SBYV27-50 thru SBYV27-200
Vishay General Semiconductor
Electrical Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Pulse test: 300 s pulse width, duty cycle
≤ 2 %
Thermal Characteristics
TA = 25 °C unless otherwise specified
Notes:
(1) Thermal resistance from junction to ambient at 0.375" (9.5 mm) lead length
Ratings and Characteristics Curves
(TA = 25 °C unless otherwise noted)
Parameter
Test condition
Symbol
SBYV27-50
SBYV27-100 SBYV27-150 SBYV27-200 Units
Maximum
instantaneous forward
voltage
at 3.0 A (1)
TJ = 25 °C
TJ = 150 °C
VF
1.07
0.88
V
Maximum DC reverse
current at rated DC
blocking voltage
TA = 25 °C
TA =100 °C
IR
5.0
200
A
Maximum reverse
recovery time
at IF = 0.5 A, IR = 1.0 A, Irr = 0.25 A
trr
15
ns
Typical junction
capacitance
at 4.0 V, 1 MHz
CJ
15
pF
Parameter
Symbol
SBYV27-50
SBYV27-100 SBYV27-150 SBYV27-200 Units
Typical thermal resistance (1)
RθJA
45
°C/W
Figure 1. Maximum Forward Current Derating Curves
Temperature (°C)
A
v
erage
F
or
w
ard
Rectified
C
u
rrent
(A)
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
ResistiveorInductive Load
0.375" (9.5mm) Lead Length
TL Lead Temperature
TA,Ambient Temperature
P.C.B. Mounted
0.5" x 0.5" (12 x 12mm)
Copper Pads
Figure 2. Maximum Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
Peak
For
w
ard
S
u
rge
C
u
rrent
(A)
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
10 ms Single Half Sine-Wave
TJ = 175 °C
Number of Cycles at 50 Hz
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SBYV27-200/51 | 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC |
| SGL41-60/96 | 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB |
| SMBG51CA/2 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG7.5/55 | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
| SMBG9.0CA/55 | 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SBYV27-200-E3 | 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:SBYV27-200-E3 |
| SBYV27-200-E3/1 | 功能描述:整流器 200 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-200-E3/23 | 功能描述:整流器 200 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-200-E3/4 | 功能描述:整流器 200 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
| SBYV27-200-E3/51 | 功能描述:整流器 200 Volt 2.0A 15ns 50 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel |
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