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參數資料
型號: SBYV27-200/23
廠商: VISHAY SEMICONDUCTORS
元件分類: 整流器
英文描述: 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC
封裝: PLASTIC, DO-15, 2 PIN
文件頁數: 3/4頁
文件大小: 330K
代理商: SBYV27-200/23
SBYV27-50 thru SBYV27-200
Document Number 88736
19-Oct-05
Vishay General Semiconductor
www.vishay.com
3
Package outline dimensions in inches (millimeters)
Figure 3. Typical Instantaneous Forward Characteristics
Figure 4. Typical Reverse Leakage Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
InstantaneousForward Voltage (V)
Instantaneo
u
sF
o
rw
ard
C
u
rrent
(A)
TJ = 150 °C
TJ = 125 °C
TJ = 175 °C
TJ = 25 °C
0.2
0.6
1
3
1.4
1.8
2.2
2.6
3.4
0.001
0.01
0.1
1
10
100
20
040
60
80
100
Instantaneo
u
s
Re
v
erse
Leakage
C
u
rrent
(
A)
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TJ = 165 °C
TJ = 125 °C
TJ = 175 °C
TJ = 25 °C
Figure 5. Reverse Switching Charateristics
Figure 6. Typical Junction Capacitance
Junction Temperature (°C)
Reco
v
ered
Store
Change
/
R
e
v
erse
Reco
v
ery
T
ime,
nC/ns
0
25
50
75
100
125
150
175
0
10
20
30
40
50
60
di/dt=150A/ s
di/dt=100A/ s
di/dt=20A/ s
di/dt=50A/ s
di/dt=100A/ s
di/dt=150A/ s
di/dt=20A/ s
trr
Q rr
IF = 2.0 A
VR = 30 V
Reverse Voltage (V)
J
u
nction
Capacitance
(pF)
100
10
1
0.1
1
10
100
TJ = 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig = 50mVp-p
0.034 (0.86)
0.028 (0.71)
Dia.
0.140 (3.6)
0.104 (2.6)
Dia.
0.230 (5.8)
0.300 (7.6)
1.0 (25.4)
min.
1.0 (25.4)
min.
DO-204AC (DO-15)
相關PDF資料
PDF描述
SBYV27-200/51 2 A, 200 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-204AC
SGL41-60/96 1 A, 60 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-213AB
SMBG51CA/2 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG7.5/55 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
SMBG9.0CA/55 600 W, BIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-215AA
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