型號: | SGH15N120RUF |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | IGBT 晶體管 |
英文描述: | Short Circuit Rated IGBT |
中文描述: | 24 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
封裝: | TO-3P, 3 PIN |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大小: | 495K |
代理商: | SGH15N120RUF |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SGH15N120RUFD | Short Circuit Rated IGBT |
SGH20N120RUF | Short Circuit Rated IGBT |
SGH20N120RUFD | CAP CERM 1UF 4V X7R 0508 20% |
SGH20N60RUF | Short Circuit Rated IGBT |
SGH30N60RUF | Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:2200pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Features:Feedthru; Leaded Process Compatible:Yes |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SGH15N120RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
SGH15N120RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGH15N120RUFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGH15N60 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
SGH15N60RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |