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參數(shù)資料
| 型號： | SGL40N150 |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Low Conduction And Switching losses IGBT(小電導、轉換耗損絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
| 中文描述： | 40 A, 1500 V, N-CHANNEL IGBT, TO-264AA |
| 封裝： | TO-264, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/6頁 |
| 文件大小： | 348K |
| 代理商： | SGL40N150 |
2000 Fairchild Semiconductor International
September 2000
SGL40N150 Rev. A
IGBT
S
SGL40N150
General Description
Fairchild’s Insulated Gate Bipolar Transistor
(
IGBT)
provides low conduction and switching losses.
SGL40N150 is designed for the Induction Heating
applications.
Features
High Speed Switching
Low Saturation Voltage : V
CE(sat)
= 3.7 V @ I
C
= 40A
High Input Impedance
Absolute Maximum Ratings
T
C
= 25
°
C unless otherwise noted
Notes :
(1) Repetitive rating : Pulse width limited by max. junction temperature
Thermal Characteristics
Symbol
V
CES
V
GES
Description
SGL40N150
1500
±
25
40
20
120
200
80
-55 to +150
-55 to +150
Units
V
V
A
A
A
W
W
°
C
°
C
Collector-Emitter Voltage
Gate-Emitter Voltage
Collector Current
Collector Current
Pulsed Collector Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Operating Junction Temperature
Storage Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/8” from Case for 5 Seconds
I
C
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
I
CM (1)
P
D
@ T
C
= 25
°
C
@ T
C
= 100
°
C
T
J
T
stg
T
L
300
°
C
Symbol
R
θ
JC
(IGBT)
R
θ
JA
Parameter
Typ.
--
--
Max.
0.625
25
Units
°
C
/
W
°
C
/
W
Thermal Resistance, Junction-to-Case
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient
Application
Home Appliance, Induction Heater, IH JAR, Micro Wave Oven
G
C
E
TO-264
G
C
E
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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| SGL5N150UF | General Description |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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