型號: | SGL50N60 |
廠商: | Fairchild Semiconductor Corporation |
英文描述: | Short Circuit Rated IGBT |
中文描述: | 短路額定IGBT的 |
文件頁數: | 1/7頁 |
文件大?。?/td> | 563K |
代理商: | SGL50N60 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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SGL50N60RUF | Ceramic Multilayer Capacitor; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+50, -20 %; Working Voltage, DC:50V; Dielectric Characteristic:X7R; Package/Case:0805; Series:W2F; Leaded Process Compatible:Yes |
SGL5N150UF | General Description |
SGL5N60RUFD | CO-PAK IGBT(CO-PAK絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
SGL60N90DG3 | Wide Noise Immunity IGBT(抗噪聲絕緣柵雙極晶體管(IGBT)) |
SGL60N90D | IGBT CO-PAK (High Speed Switching Low Saturation Voltage High Input Impedance) |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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SGL50N60RUF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
SGL50N60RUFD | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Short Circuit Rated IGBT |
SGL50N60RUFDTU | 功能描述:IGBT 晶體管 N-CH 600V 50A RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGL50N60RUFTU | 功能描述:IGBT 晶體管 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發射極最大電壓:20 V 在25 C的連續集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
SGL5N150UF | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:General Description |