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參數(shù)資料
型號: SI1024X-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁數(shù): 2/7頁
文件大小: 0K
描述: MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6
產(chǎn)品目錄繪圖: X-T1-E3 Series SOT-563
標準包裝: 1
FET 型: 2 個 N 溝道(雙)
FET 特點: 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 485mA
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 700 毫歐 @ 600mA,4.5V
Id 時的 Vgs(th)(最大): 900mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
功率 - 最大: 250mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應商設備封裝: SC-89-6
包裝: 標準包裝
產(chǎn)品目錄頁面: 1663 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱: SI1024X-T1-GE3DKR
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