| 型號(hào)： | SI1024X-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/7頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 |
| 產(chǎn)品目錄繪圖： | X-T1-E3 Series SOT-563 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| FET 型： | 2 個(gè) N 溝道（雙） |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 485mA |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 700 毫歐 @ 600mA，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 900mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 0.75nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 250mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-89-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1663 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | SI1024X-T1-GE3DKR |