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參數資料
| 型號： | SI1033X |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 元件分類： | MOSFETs |
| 英文描述： | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值 |
| 文件頁數： | 1/4頁 |
| 文件大小： | 49K |
| 代理商： | SI1033X |
Si1033X
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 71428
S-03201—Rev. A, 12-Mar-01
www.vishay.com
1
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(mA)
8 @ V
GS
= –4.5 V
–150
12 @ V
GS
= –2.5 V
–125
–20
15 @ V
GS
= –1.8 V
–100
20 @ V
GS
= –1.5 V
–30
High-Side Switching
Low On-Resistance: 8
Low Threshold: 0.9 V (typ)
Fast Switching Speed: 45 ns (typ)
1.5-V Operation
Gate-Source ESD Protection
Ease in Driving Switches
Low Offset (Error) Voltage
Low-Voltage Operation
High-Speed Circuits
Low Battery Voltage Operation
Drivers: Relays, Solenoids, Lamps,
Hammers, Displays, Memories
Battery Operated Systems
Power Supply Converter Circuits
Load/Power Switching Cell Phones, Pagers
Marking Code: K
Top View
3
1
D
2
G
2
S
1
5
2
4
6
D
1
S
2
G
1
SC-89
!"#
Parameter
Symbol
5 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
–20
Gate-Source Voltage
V
GS
5
V
T
A
= 25 C
–155
–145
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 85 C
I
D
–110
–105
Pulsed Drain Current
b
I
DM
–650
mA
Continuous Source Current (diode conduction)
a
I
S
–450
–380
T
A
= 25 C
280
250
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 85 C
P
D
145
130
mW
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
–55 to 150
C
Gate-Source ESD Rating (HBM, Method 3015)
ESD
2000
V
Notes
a.
b.
Surface Mounted on FR4 Board.
Pulse width limited by maximum junction temperature.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI1040X | Logic Level P-channel Load switch with Level Shift; |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI1033X-T1 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1033X-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 20V 0.15A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI1033X-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 20V 150mA 280mW 8.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| Si1034-A-GM | 功能描述:射頻微控制器 - MCU 128KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:Si100x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數據 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LGA-42 安裝風格:SMD/SMT 封裝:Tube |
| Si1034-A-GMR | 功能描述:射頻微控制器 - MCU 128kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 處理器系列:Si100x 數據總線寬度:8 bit 最大時鐘頻率:24 MHz 程序存儲器大小:64 KB 數據 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 工作溫度范圍:- 40 C to + 85 C 封裝 / 箱體:LGA-42 安裝風格:SMD/SMT 封裝:Tube |
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