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參數(shù)資料
型號(hào): SI1056X-T1-GE3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 1/8頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述: MOSFET N-CH D-S 20V SC-89-6
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 1
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
開(kāi)態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 89 毫歐 @ 1.32A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 950mV @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 8.7nC @ 5V
輸入電容 (Ciss) @ Vds: 400pF @ 10V
功率 - 最大: 236mW
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: SOT-563,SOT-666
供應(yīng)商設(shè)備封裝: SC-89-6
包裝: 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱: SI1056X-T1-GE3DKR
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