| 型號(hào)： | SI1056X-T1-GE3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/8頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH D-S 20V SC-89-6 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點(diǎn)： | 邏輯電平門(mén) |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 89 毫歐 @ 1.32A，4.5V |
| Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）： | 950mV @ 250µA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 8.7nC @ 5V |
| 輸入電容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 236mW |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | SOT-563，SOT-666 |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | SC-89-6 |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 其它名稱： | SI1056X-T1-GE3DKR |