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參數(shù)資料
型號(hào): SI3460DV-T1-E3
廠商: Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù): 1/9頁(yè)
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 3,000
系列: TrenchFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點(diǎn): 邏輯電平門
漏極至源極電壓(Vdss): 20V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C: 5.1A
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 27 毫歐 @ 5.1A,4.5V
Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大): 450mV @ 1mA
閘電荷(Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V
功率 - 最大: 1.1W
安裝類型: 表面貼裝
封裝/外殼: 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬)
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 6-TSOP
包裝: 帶卷 (TR)
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