| 型號： | SI3460DV-T1-E3 |
| 廠商： | Vishay Siliconix |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 3,000 |
| 系列： | TrenchFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 特點： | 邏輯電平門 |
| 漏極至源極電壓(Vdss)： | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C： | 5.1A |
| 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 27 毫歐 @ 5.1A，4.5V |
| Id 時的 Vgs(th)（最大）： | 450mV @ 1mA |
| 閘電荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 4.5V |
| 功率 - 最大： | 1.1W |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 6-TSOP |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |