- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄376353 > SI4532DY (FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP) Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | SI4532DY |
| 廠商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | Dual N- and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
| 中文描述： | 3.9 A, 30 V, 0.065 ohm, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | SO-8 |
| 文件頁數： | 1/18頁 |
| 文件大小： | 339K |
| 代理商： | SI4532DY |
LXE1710 E
VALUATION
B
OARD
U
SER
G
UIDE
Microsemi
Linfinity Microelectronics Division
11861 Western Avenue, Garden Grove, CA. 92841, 714-898-8121, Fax: 714-893-2570
Page 1
Copyright
2000
Rev. 1.1, 2000-12-01
A M I C R O S E M I C O M P A N Y
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Si4826DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| Si4442DY | N-Channel FET Synchronous Buck Regulator Controller for Low Output Voltages |
| SIDC03D60C6 | Fast switching diode chip in EMCON 3 -Technology |
| SIDC03D60F6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
| SIDC04D60F6 | Fast switching diode chip in EMCON-Technology |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| SI4532DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4532DY-T1 | 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R |
| SI4532DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4532DY-T1-E3 | 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET |
| SI4539 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。